技術(shù)編號(hào)：8095470
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明提供了一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于準(zhǔn)單晶的鑄造，包括以下步驟提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)籽晶，所述籽晶緊密接觸鋪滿所述坩堝底部形成籽晶層，相鄰兩個(gè)籽晶接觸的側(cè)面晶向一致且構(gòu)成重合位置點(diǎn)陣類型的晶界，所述籽晶的生長面晶向?yàn)?100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的側(cè)面晶向和生長面晶向垂直。本發(fā)明的相鄰籽晶在生長過程中構(gòu)成的晶界類型為重合位置點(diǎn)陣類型，晶界處的界面能很小，不易成為位錯(cuò)源，同時(shí)相鄰籽晶的側(cè)面晶向一致，使得生長過程中的相鄰籽晶承受的應(yīng)力狀態(tài)相同，從而減少位錯(cuò)源的發(fā)生；本發(fā)明還提供了...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。