技術編號：8095471
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利摘要本發(fā)明提供了一種籽晶的鋪設方法，用于鑄造準單晶硅片，包括以下步驟提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設目標籽晶，相鄰兩個目標籽晶之間留有縫隙，在所述縫隙中填充一個異向籽晶，所述目標籽晶和所述異向籽晶緊密接觸鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層；所述異向籽晶包括分別與相鄰兩個目標籽晶側面接觸的第一側面和第二側面，所述第一側面和所述第二側面分別與相鄰目標籽晶接觸的側面構成的晶界類型一致，所述異向籽晶的生長面相對于所述目標籽晶的生長面為高指數(shù)晶面。通過在相鄰兩個目標籽晶之間的縫隙中填充異向籽晶，使位錯以及位錯的增殖優(yōu)先產生在異向籽晶...
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