技術(shù)編號(hào)：8106753
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。使用納米結(jié)構(gòu)柔性層和HVPE制造高質(zhì)量化合物半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種生長(zhǎng)厚的單晶化合物半導(dǎo)體材料(thick single-crystal compound semiconductor material)的方法，并涉及例嗦口葉吏用由分子束夕卜延(MBE)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、也稱為金屬有機(jī)物氣相外延(MOVPE) 的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和HVPE制造的納米結(jié)構(gòu)柔性層(nanostructure compliant layer )，通過(guò)才才泮牛氫4匕物氣相夕卜延(HVPE)沉積 ...
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