技術(shù)編號(hào):8121074
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及由多晶硅構(gòu)成的棒及其生產(chǎn)方法,所述的多晶硅構(gòu)成的棒通過(guò)浮區(qū)法(FZ法)進(jìn)一步用于單晶棒的生產(chǎn)。 背景技術(shù)根據(jù)直拉法(CZ)或浮區(qū)法(FZ),高純多晶硅(多晶硅)用作 生產(chǎn)單晶硅半導(dǎo)體的原料,并用于光電太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)。一般根據(jù)西門(mén)子法(Siemensprocess)生產(chǎn)多晶硅棒。在該方法中, 含硅的反應(yīng)氣熱分解或被氫氣還原,并在由硅制成的細(xì)絲棒(所謂的 細(xì)棒或芯)上沉積成高純硅。例如,鹵代硅垸(如三氯硅垸)主要用 作反應(yīng)氣的含硅組分。在不含氧氣的沉積反應(yīng)器中實(shí)施上述方法。 一般地,通過(guò)橋?qū)⒎?應(yīng)器...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。