技術(shù)編號(hào)：8123362
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及在制造電子元件時(shí)使用的半導(dǎo)體級(jí)單晶硅的制備。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用于制備基本上沒(méi)有空位型附聚的本征點(diǎn)缺陷的單晶硅錠及由該硅錠得到晶片的方法，其中上述晶錠在一定速率下生長(zhǎng)，上述速率用別的方法將造成晶錠內(nèi)部形成附聚的空位型本征點(diǎn)缺陷。近年來(lái)，已經(jīng)認(rèn)識(shí)到單晶硅中的許多缺陷是在晶體生長(zhǎng)室中在晶體固化之后冷卻時(shí)形成。這些缺陷部分是由于存在過(guò)量本征點(diǎn)缺陷(亦即濃度高于溶度限)而引起，上述本征點(diǎn)缺陷通稱為空位和自填隙。由熔體生長(zhǎng)的硅晶體通常是在一種本征點(diǎn)缺陷或另一種本征點(diǎn)缺陷，或者是晶格空位(“V”)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。