技術編號：8133374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。等離子體約束裝置方法技術領域本發(fā)明涉及一種用來加工集成電路用的半導體基片或用來加工平板顯示 器用的玻璃平板的基片的裝置，尤其涉及一種等離子體處理裝置中的等離子 體約束裝置以及相關的等離子體約束方法。背景技術等離子處理裝置利用真空反應室的工作原理進行半導體基片和等離子平 板的基片的加工。真空反應室的工作原理是在真空反應室中通入含有適當刻 蝕劑或淀積源氣體的反應氣體，然后再對該真空反應室進行射頻能量輸入， 以激活反應氣體，來點燃和維持等離子體，以便分別刻蝕基片表面上的材料 層或在基片表面上淀積材料層，進而對半導體基片和...
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