技術編號：8135147
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及一種制造電子器件的方法，具體地說，涉及在凹槽中填滿銅的后端金屬化工藝，其包括在凹槽表面上形成電鍍基底以進行所述銅的后續(xù)電沉積的步驟。然而，不利的是，當這種方法應用于具有很大的高寬比值的凹槽的晶片時，比如對于直徑小于0.18微米的凹槽來說長寬比大于4，，會使電鍍基底層的質量和完整性受到限制。電鍍基底層往往被證明是不夠厚或不夠均勻。這種厚度和均勻性的變化妨礙了在后續(xù)的電沉積過程中凹槽被銅完全填滿，因此在結構中會留有無銅的空洞。國際專利申請WO-A-99/47731涉及一種金屬鑲嵌工藝，其中構成電鍍基底...
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