技術(shù)編號：8137081
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及位錯等的晶體缺陷少、晶體品質(zhì)高的碳化硅單晶以及碳化硅單晶晶片。背景技術(shù) 碳化硅(SiC)是具有2. 2 3. 3eV的寬禁帶寬度的寬帶隙半導體。以往，SiC因其優(yōu)異的物理、化學特性而作為耐環(huán)境性半導體材料被進行研究開發(fā)，但近年來，SiC作為面向從藍色到紫外的短波長光器件、高頻電子器件、高耐壓-高輸出電子器件的材料受到關(guān)注，正在活躍地進行研究開發(fā)。但是，迄今為止，SiC難以制造優(yōu)質(zhì)的大口徑單晶，這妨礙了 SiC器件的實用化。以往，在研究室程度的規(guī)模下，利用例如升華再結(jié)晶法(Lely法)獲得了可進行半...
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