技術(shù)編號(hào)：8138951
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及晶體硅的生長(zhǎng)方法，具體是指一種η型晶體硅的方法。 背景技術(shù)晶體硅太陽(yáng)電池(包括單晶和多晶)是光伏發(fā)電的主流產(chǎn)品，生產(chǎn)電池的硅片是 從多晶硅錠或單晶硅棒切片獲得，所以硅片要求的電學(xué)性能必須在多晶鑄錠或單晶棒的生 產(chǎn)過(guò)程中完成，通常在晶體硅生長(zhǎng)過(guò)程中摻雜III族元素獲得P型半導(dǎo)體，摻雜ν族元素獲 得η型半導(dǎo)體，并且通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜濃度使硅片的電阻率控制在0. 5 3 Ω · cm之間來(lái)滿足 制備太陽(yáng)電池的要求。作為硅的摻雜必須在硅的帶隙中形成一個(gè)淺能級(jí)，并且具有固溶度 大、擴(kuò)散系數(shù)小和蒸汽壓低的特點(diǎn)。摻雜...
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