技術(shù)編號(hào):8142604
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種制作單晶鈮酸鋰薄膜或單晶鉭酸鋰薄膜材料的工藝過程。 背景技術(shù)具有高折射率差的單晶鈮酸鋰薄膜或單晶鉭酸鋰薄膜材料在集成光學(xué),光電子元器件,非線性光學(xué)中有非常廣泛的應(yīng)用前景。文獻(xiàn)1和2分別報(bào)道了制作鈮酸鋰單晶薄膜和鉭酸鋰單晶薄膜的方法,其基本步驟包括離子注入,二氧化硅的沉積和拋光,樣品清洗, 直接鍵合,熱處理分離,薄膜拋光等工藝。其基本制作原理可以用文獻(xiàn)3介紹的過程解釋 對(duì)鈮酸鋰晶片或鉭酸鋰晶片進(jìn)行(氫或氦)離子注入,離子進(jìn)入晶片后,能量逐漸損失,速度減小,最后離子停留在某一深度的層面上(這一層被...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。