技術編號：8143786
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明屬于高Mn含量(In，Mn) As納米點技術，特別是一種高Mn含量(In，Mn) As 納米點的制備方法。背景技術近20年以來，Mn摻雜的III-V族稀磁半導體由于被證實是本征的稀磁半導體，其 自旋輸運性質受到了眾多研究者的關注。外延生長于GaAs (001)單晶襯底上的(In，Mn) As單晶薄膜是其中主要的一類。由于(In，Mn)As單晶薄膜和GaAs(OOl)單晶襯底之間存 在著較大的晶格失配度，為抑制壓應力引起的三維Stranski-Krastanov(S-K)生長模式， (In1^xMnx)...
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