技術(shù)編號(hào)：8145031
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)傳統(tǒng)地，比如在JP-A-2004-339029(對(duì)應(yīng) US2004/194694A)中已經(jīng)提出一種 SiC 單結(jié)晶制造裝置。在SiC單結(jié)晶制造裝置中，SiC的原料氣體通過引入管被引到加熱坩堝， 原料氣體在加熱坩堝內(nèi)分解，分解后的原料氣體被弓I到放置在反應(yīng)坩堝內(nèi)的籽晶。圖6表示在傳統(tǒng)的SiC單結(jié)晶制造裝置中原料氣體流動(dòng)狀態(tài)的橫截面示意圖。在 傳統(tǒng)的SiC單結(jié)晶制造裝置中，加熱坩堝Jl內(nèi)原料氣體的流動(dòng)通路的下游側(cè)被完全打開。 因此，如圖6的箭頭所示，原料氣體流均勻一致地撞擊布置在反應(yīng)坩...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。