技術(shù)編號(hào)：8152935
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料外延設(shè)備，更具體地，涉及一種采用氫化物氣相外延(HVPE)方法外延氮化鎵(GaN)材料的設(shè)備配件。背景技術(shù)以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料得到了廣泛應(yīng)用，具有寬禁帶，高擊穿電壓、高電子遷移率、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，非常適合制作抗輻射、高頻率、大功率和高密度集成的電子器件以及藍(lán)光、綠光和紫外光電子器件。最近日本LED大廠豐田合成以氮化鎵(GaN)為基板材料制作LED取得成功，其發(fā)光亮度是同樣大小藍(lán)寶石為基板的LED的3倍。目前氮化鎵(GaN)材料外延主要有以下兩種方法一種是化學(xué)氣相...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。