技術編號：8158784
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本實用新型涉及化學氣相沉積(CVD)技術領域，特別涉及化學氣相沉積設備的石墨盤、反應腔室。背景技術MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的ー種化學氣相外延沉積エ藝。它以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長的源材料，以熱分解反應方式在石墨盤上進行沉積エ藝，生長各種III - V族、II - VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。下面對現(xiàn)有的化學氣相沉積エ藝的原理進...
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