技術(shù)編號(hào)：8165378
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及分子束外延(MBE)生長(zhǎng)設(shè)備和控制它的方法。背景技術(shù)在圖9中示出了一典型的分子束外延生長(zhǎng)設(shè)備(MBE設(shè)備)的結(jié)構(gòu)。圖9中示出的分子束外延生長(zhǎng)設(shè)備裝備有能夠被抽至超高真空的真空室101；當(dāng)基底200被保持在該真空室101內(nèi)的一規(guī)定位置時(shí)加熱和旋轉(zhuǎn)基底200的基底操作器102；朝基底200的表面發(fā)射分子束的多個(gè)分子束源發(fā)射管103、104、105和106；以及分別安裝在相應(yīng)的發(fā)射管的射出口的前方的發(fā)射管活門107。該設(shè)備例如引起鎵(Ga)和砷(As)被加熱和蒸發(fā)，以便從分子束源發(fā)射管103…106以分...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。