技術(shù)編號：8181843
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及單晶的生長方法，特別是涉及一種采用物理氣相傳輸法通過生長模式調(diào)控實(shí)現(xiàn)AlN單晶生長的方法。背景技術(shù)氮化鋁(AlN)為直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度寬(6. 2eV)、擊穿場強(qiáng)高(1. 17X107V/cm)、體電阻率高(>1χ10ηΩ · cm)、電子遷移率高(IlOOcm2/ (V · S))、熱導(dǎo)率較高(3. 4ff/ (cm-K))以及所有半導(dǎo)體材料中最高的BHFM、KFM和JFM優(yōu)值指數(shù)，還具有熱穩(wěn)定性好、耐腐蝕和耐輻射等優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。氮化鋁具有所有III族氮化物晶體中最小...
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