技術(shù)編號：8185461
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于采用氣相外延與液相外延的混合外延方法，在GaAs襯底上異質(zhì)外延InP和Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體材料。InP和Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體材料在光纖通信及微電子學(xué)等領(lǐng)域中具有廣泛用途，但是這類材料的價格昂貴，如InP半導(dǎo)體材料價格是GaAs材料價格的7～8倍，且前者的材料合成十分困難，質(zhì)量也不如后者好。因此，國內(nèi)外近兩年都開始重視采用異質(zhì)外延技術(shù)，在價格便宜的襯底上生長性能獨(dú)特的InP及Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體的單晶材料。據(jù)美國《電化學(xué)協(xié)會雜志》(Vol.136、No.12，P3585～3586，198...
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