技術(shù)編號(hào)：8192331
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及。背景技術(shù)直拉硅片是集成電路的基礎(chǔ)材料。在硅片經(jīng)過復(fù)雜的工藝被加工成晶圓的過程中會(huì)經(jīng)歷多步熱氧化過程，即硅片在900 1200°C時(shí)在氧氣氣氛中處理1-3小時(shí)。在此過程中有可能產(chǎn)生氧化誘生層錯(cuò)(OSF)。OSF經(jīng)常出現(xiàn)在硅片的有源區(qū)，因而會(huì)對(duì)晶圓的性能產(chǎn)生顯著影響。當(dāng)OSF貫穿p-n結(jié)結(jié)合處時(shí)，將大量的增加復(fù)合電流，因而在結(jié)間產(chǎn)生明顯的漏電流。由于很多MOS器件(如DRAM和CCD)卻要求很低的漏電流以確保元件能夠穩(wěn)定可靠的工作。在MOS電容器中OSF則會(huì)降低動(dòng)態(tài)記憶元件的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。