技術編號：8196561
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及一種硅半導體晶片，該硅半導體晶片是由一硅單晶體切薄片而制成，該硅單晶體是在利用Czochralski法(CZ法)及施加磁場的Czochralski法(MCZ法)抽拉硅單晶體時，通過控制單晶體凝聚溫度至結晶溫度范圍內的冷卻速度及控制氮的濃度、氧的濃度等以生長晶體所生長的，該發(fā)明還涉及一種制造該硅單晶體的方法。至于硅單晶體生長過程中導致裝置合格率降低的生長缺陷，環(huán)疊層缺陷(R-SF)、位錯簇及類似物是發(fā)生在間隙硅較多的區(qū)域，而孔腔缺陷，例如空穴型缺陷(COP、LSTD、FPD)及AOP是發(fā)生在空穴較多...
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