技術(shù)編號：8199044
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體單晶材料制備領(lǐng)域，尤其涉及一種砷化鎵(GaAs)多晶 合成的方法和裝置。背景技術(shù)生長GaAs單晶前提，必須先合成GaAs多晶。GaAs多晶合成經(jīng)歷了水平 布里奇曼法，^氐壓氧化硼液封As注入合成法、高壓氧化硼液封原位合成法。水平布里奇曼法(謝永桂，超高速化合物半導(dǎo)體器件，北京宇航出版社， 1998， 123 - 145 )合成砷化鎵是在密封的石英安培瓶中進(jìn)行，首先對安培瓶、 石英舟、石英擴(kuò)散擋板、安培瓶封管、砷化鎵籽晶進(jìn)行去除有機(jī)物、重金屬離 子處理，然后使用去離子水清洗干凈后烘干；石英舟在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。