技術(shù)編號(hào)：8200454
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種新型半導(dǎo)體薄膜材料及其制備方法。具體來說就是以碳化硅(SiC)為基底外延生長較大面積、均勻石墨烯的新方法。背景技術(shù)石墨烯是由Sp2雜化的碳原子相互連接構(gòu)成的一種二維扁平單層結(jié)構(gòu)，與單層石墨的六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)相仿。獨(dú)立存在的單層石墨烯是一種具有六方結(jié)構(gòu)的窄禁帶IV族半導(dǎo) 體，室溫下能帶帶隙Eg為0eV[1’2]。在簡并布里淵區(qū)的邊界K點(diǎn)呈線性色散關(guān)系，其費(fèi)米能 級(jí)與狄拉克點(diǎn)能級(jí)相同。石墨烯的穩(wěn)定存在打破了傳統(tǒng)Landau關(guān)于二維晶體的預(yù)言，其類 相對論基本粒子的超快電子傳...
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