技術(shù)編號(hào)：8207805
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專(zhuān)利說(shuō)明 本申請(qǐng)要求2012年5月23日提交的US 61/650,604和2013年3月15日提交的 US 13/833,643的權(quán)益，這兩個(gè)申請(qǐng)通過(guò)引用被并入本文。 本申請(qǐng)可涉及在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。背景技術(shù) NAND閃存（FLASH)存儲(chǔ)器在電學(xué)上被組織為管芯(芯片）上的多個(gè)塊，且多個(gè)管芯 可合并到封裝中，封裝可稱(chēng)為閃存存儲(chǔ)器電路。芯片可具有多于一個(gè)平面，以便對(duì)擦除、寫(xiě) 和讀操作是可單獨(dú)處理的。塊由多個(gè)頁(yè)組成，且頁(yè)由多個(gè)扇區(qū)組成。這個(gè)術(shù)語(yǔ)集...
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