技術編號：8224789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。硅是一種用途最為廣泛的半導體材料，在太陽電池、傳感器等許多領域有巨大的工業(yè)應用。目前，在單晶硅電池中，保持最高效率(25%)的鈍化發(fā)射極背部局域擴散(PERL)電池，采用的就是光刻技術制備的規(guī)則倒金字塔陣列來作為電池的表面減反結構，該電池的短路電流密度(Jsc)達到了 42.7mA/cm2。但是，目前常見的用光刻技術來制備倒金字塔陣列的方法不僅工藝復雜，成本相對較高，而且制備納米尺度的光刻掩膜版仍然比較困難，所以限制了其在大規(guī)模產業(yè)化方面及在制備納米量級小...
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