技術(shù)編號：8238915
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著電能轉(zhuǎn)換和控制的需求不斷增長，以絕緣柵雙極晶體管(Insulated GateBipolar Transistor，簡稱IGBT)為代表的功率半導(dǎo)體器件使用的越來越頻繁。功率半導(dǎo)體器件在運(yùn)行時(shí)會產(chǎn)生大量的熱量，過多的熱量累積會導(dǎo)致器件失效甚至爆炸、燃燒等惡劣后果。所以針對功率半導(dǎo)體器件的散熱和溫度檢測設(shè)計(jì)，一直是功率半導(dǎo)體期間使用過程中的核心課題。功率半導(dǎo)體器件10的熱量發(fā)生一般集中在其PN結(jié)，并通過銅基板12、導(dǎo)熱材料、散熱器等向外擴(kuò)散，最終由散熱器...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。