技術(shù)編號(hào)：8239331
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在各種規(guī)模的集成電路、各種半導(dǎo)體元件或者其芯片等電子器件中，作為實(shí)現(xiàn)三維電路配置的方法，提出TSV(Through-Silicon-Via,娃穿孔)技術(shù),其是在電路基板上預(yù)先設(shè)置多個(gè)貫通導(dǎo)體、將該電路基板進(jìn)行層疊而接合的技術(shù)。如果在三維電路配置中使用TSV技術(shù)，可以將大量功能裝入較小的占有面積之中。此外，元件彼此的重要的電配線可以急劇地變短，因此可實(shí)現(xiàn)處理的高速化。在日本專利第3869859號(hào)公報(bào)中公開有TSV技術(shù)不可缺少的通孔結(jié)構(gòu)體。在日本專利第3869...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。