技術(shù)編號：8239396
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著我國經(jīng)濟(jì)和科技的高速發(fā)展，電容器的微型化和嵌入式以及高容量存儲器件的需求急劇增加。以聚合物為基體制備具有高介電常數(shù)和低接電損耗的雜化材料成為現(xiàn)代電介質(zhì)材料的發(fā)展趨勢；聚偏氟乙烯因?yàn)楸绕渌酆衔锞哂休^高的介電常數(shù)和較低的介電損耗，所以被廣泛應(yīng)用于嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲器件中；但是，聚偏氟乙烯是一種熱塑性聚合物，有限的介電常數(shù)滿足不了現(xiàn)代嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲器件對材料高介電性能的要求，鈦酸鋇作為高介電常數(shù)的鐵電陶瓷廣泛應(yīng)用于聚合物中改善聚合物的介電性...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。