技術(shù)編號：8269234
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。光子裝置現(xiàn)今集成在與電子電路(例如CMOS電路)相同的襯底上。用于此集成的襯底材料通常為硅(塊狀硅或絕緣體結(jié)構(gòu)上的硅)。許多光子裝置可形成在提供在襯底上方的圖案化硅層中。例如，襯底上方的波導(dǎo)核心可由硅形成，襯底也可為硅襯底，前提是硅波導(dǎo)核心被具有比所述核心的硅低的折射率的包層環(huán)繞。二氧化硅通常用作合適的包層材料，因?yàn)橄噍^于硅的約3.45折射率，二氧化硅具有約1.45折射率。其它材料也可用作波導(dǎo)核心及包層材料，前提是在核心的較高折射率與包層的較低折射率之間存...
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