技術(shù)編號(hào)：8270003
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。日本專利公開號(hào)7-326755(專利文獻(xiàn)I)公開了一種具有溝槽的碳化硅半導(dǎo)體器件。這一專利公布陳述柵熱氧化膜在溝槽的底面上具有比其在溝槽的側(cè)面上的膜厚度更大的膜厚度，因此閾值電壓變低且在柵極和漏極之間的擊穿電壓變高。其還陳述溝槽的底面對(duì)應(yīng)于六方單晶碳化硅的允許有快的氧化速率的碳平面，而溝槽的側(cè)面對(duì)應(yīng)于垂直于這一碳平面且允許有慢的氧化速率的平面。因此，通過將熱處理步驟實(shí)施一次，能夠形成熱氧化膜使得熱氧化膜在溝槽的側(cè)面上的厚度與熱氧化膜在溝槽的底面上的厚度極大...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。