技術(shù)編號：8273538
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著電力電子器件多功能化、高性能化、高密度化的要求，由于Si基功率器件的性能已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限，研宄人員從20世紀(jì)80年代開始把目光轉(zhuǎn)向以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件。寬禁帶半導(dǎo)體器件具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、耐高溫、抗輻射等優(yōu)良特性，除普遍應(yīng)用于汽車電子和軍事武器系統(tǒng)外，還應(yīng)用于航空航天、核能開發(fā)、石油地質(zhì)勘探等嚴(yán)酷環(huán)境中，器件封裝面臨著高溫(350°C以上)、大溫度范圍(-1OO0C -6000C)的工作條件，由于材料間熱脹系數(shù)...
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