技術(shù)編號：8284281
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。迄今為止，在功率電子應(yīng)用中使用的晶體管通常已經(jīng)用硅(Si)半導(dǎo)體材料來制造。用于功率應(yīng)用的公共晶體管器件包括Si CMOS (CoolMOS)、Si功率MOSFET和Si絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。例如II1-V化合物半導(dǎo)體(諸如GaAs)的化合物半導(dǎo)體在一些應(yīng)用中也是有用的。最近，碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被考慮。諸如氮化鎵(GaN)器件的II1-N族半導(dǎo)體器件現(xiàn)在作為有吸引力的候選物出現(xiàn)以攜帶大電流，支持高電壓并提供非常低的接通電阻和快開關(guān)時間。發(fā)...
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該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。