技術(shù)編號：8300114
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明涉及抗福射加固電路領(lǐng)域，具體涉及一種存儲器在多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)下可靠性 評估模型的設(shè)計方法。背景技術(shù) 單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)造成的軟錯誤是航空航天應(yīng)用集成電路可靠性設(shè)計面臨的嚴(yán) 峻挑戰(zhàn)之一。當(dāng)空間福射粒子轟擊其存儲器敏感節(jié)點時，會產(chǎn)生額外的電子空穴對，若 電荷積累到一定程度超過一個臨界值，即臨界電荷，將會翻轉(zhuǎn)存儲單元邏輯值，發(fā)生軟 錯誤，繼而致使電子系統(tǒng)故障，航天器功能失效等。單粒子翻轉(zhuǎn)包括單位翻轉(zhuǎn)（single bit upset, SBU)和多位翻轉(zhuǎn)（mul...
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