技術(shù)編號：8300292
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利說明具可變電容調(diào)諧器與反饋電路的物理氣相沉積本申請是申請日為2011年3月I日申請的申請?zhí)枮?01180022140.3，并且發(fā)明名稱為“具可變電容調(diào)諧器與反饋電路的物理氣相沉積”的發(fā)明專利申請的分案申請。本發(fā)明涉及具可變電容調(diào)諧器與反饋電路的物理氣相沉積。背景技術(shù)等離子體處理被用于制造例如集成電路、集成電路的光微影處理中所使用的掩模、等離子體顯示器以及被用于太陽能技術(shù)中。制造集成電路時，半導(dǎo)體晶圓是在等離子體腔室內(nèi)進行處理。工藝可例如為反應(yīng)性離子蝕刻...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。