技術(shù)編號(hào)：8324039
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管（LED)，特別是LED中的側(cè)向電流擴(kuò)展結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 在過(guò)去幾十年中，InGaN/GaN發(fā)光二極管（LED)取得了驚人的進(jìn)展。一個(gè)遺留的 問(wèn)題在于性能仍然受限于P型GaN層。由于P型GaN的低摻雜濃度和低空穴遷移率（電導(dǎo) 性差），電流集聚效應(yīng)變得非常明顯，尤其在大電流工作下。在P型GaN電極下面的電流集 聚的直接影響包括創(chuàng)造出高的局部熱量和局部載流子濃度。這在多量子阱中（MQW)引起了 無(wú)輻射重組率的增長(zhǎng)，并且因此降低了光輸出功率和...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。