技術編號：8344304
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。作為SiC單晶的制造方法，有溶液生長法。在溶液生長法中，將由SiC單晶構成的SiC晶種浸漬在Si — C溶液中。在此，S1-C溶液是指在Si或者Si合金的熔液中溶解碳(C)而成的溶液。而且，在Si — C溶液中，使SiC晶種的附近部分形成為過冷狀態(tài)，從而在SiC晶種的表面生成SiC單晶。在溶液生長法中，若在生長界面內(nèi)生長速度不均勻，則在生成的SiC單晶的表面形成微小的(周期比SiC晶種的寬度小的)凹凸。若凹凸較大，則溶劑存積在凹處。其結果，溶劑進入生成的S...
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