技術(shù)編號(hào)：8363308
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。今年來(lái)，由于傳統(tǒng)閃存(f I ash )按比例縮小的困難性，新型的非易失存儲(chǔ)器稱為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)，其中阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)由于具有存儲(chǔ)密度高、功耗低、讀寫速度快、數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，成為最有前途的存儲(chǔ)器類型之一。阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器利用薄膜材料的電阻可在電壓等電信號(hào)作用下、在高阻態(tài)(HighResistance State, HRS)和低阻態(tài)(Low Resistance State, LRS)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基本工作原理。傳統(tǒng)的阻變材料層為氧化物材料...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。