技術(shù)編號：8382400
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)有技術(shù)教導(dǎo)了使用一個(gè)或多個(gè)FinFET類型的場效應(yīng)晶體管的集成電路的形成方法。FinFET晶體管包括用以傳導(dǎo)與襯底的表面平行的電流的溝道區(qū)。溝道區(qū)形成于半導(dǎo)體材料的細(xì)長部分中。晶體管的源區(qū)和漏區(qū)形成在細(xì)長形部分中并位于溝道區(qū)的兩側(cè)。柵極位于在溝道區(qū)位置處的細(xì)長形部分之上，以及在該處的細(xì)長形部分的相對兩側(cè)，從而用于設(shè)置或控制晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。該FinFET設(shè)計(jì)最適合用于制造多溝道晶體管，其中多個(gè)細(xì)長形部分被并聯(lián)形成以限定相鄰的溝道區(qū)，這些溝道區(qū)通過晶體管柵...
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