技術(shù)編號：8386054
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 發(fā)明人已經(jīng)觀察到無法使用典型的等離子體離子暴露來輕易地執(zhí)行3D裝置結(jié)構(gòu) 的氮化，該是由于等離子體殼層（plasmasheath)的非共形（non-con化rmal)本質(zhì)，其中 等離子體殼層避免了膜的頂表面與裝置側(cè)壁的共形滲雜（doping)。而發(fā)明人相信3D共 形氮化需要自由基（radical)或中性物種驅(qū)動的反應(yīng)。一種將W氧化給為基底的3D高-k 柵極堆疊氮化的方法是通過利用氨W及可選的惰性氣體和/或氮氣（馬）所產(chǎn)生的電感禪 合等離子體的使用。然而，發(fā)...
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