技術(shù)編號(hào)：8391131
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。隙約為1.4eV，可以用來(lái)制備量子器件，其能夠通過量子尺寸效應(yīng)，改變器件的發(fā)光頻率和性能，因此已經(jīng)被廣泛地用來(lái)作為光催化、半導(dǎo)體器件、發(fā)光器件、激光或紅外探測(cè)器和光敏傳感器的材料。另外它還是一種優(yōu)良的紅外窗口和非線性光學(xué)材料。現(xiàn)在Cu3BiS3已經(jīng)被用來(lái)制作多種光電子器件，如激光器、光電探測(cè)器、光存儲(chǔ)器件、量子點(diǎn)等；Cu3BiS^可以用來(lái)做光伏器件，例如太陽(yáng)能電池等。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)于Cu3BiS3m米結(jié)構(gòu)材料的研宄還比較少，而三元硫化物納米結(jié)構(gòu)材料，由于其結(jié)...
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