技術(shù)編號(hào)：8396888
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。已知的是，部件(諸如，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān))在某些情況下可以用于替代在射頻應(yīng)用中的機(jī)電繼電器或固態(tài)開關(guān)。該開關(guān)已普遍形成在高電阻率硅片上，諸如浮區(qū)晶圓。浮區(qū)(FZ)晶片具有低的氧含量。這些晶片得到高電阻率，其在整個(gè)后續(xù)處理步驟中保持穩(wěn)定。然而，浮區(qū)晶片與標(biāo)準(zhǔn)電阻率CzochralskLCZ晶片相比是昂貴與。此外，浮區(qū)晶片的較低氧含量使得晶片屈服強(qiáng)度差，使得它們脆弱并在晶片處理工具中易于斷裂。因此，他們改善的電氣性能帶來處理問題并增加費(fèi)用。其他RF組件...
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