技術(shù)編號：8397051
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。由于諸如非易失性存儲器件的存儲器件產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，對存儲器件的高集成度的需求增加。通常來說，已經(jīng)通過減少半導體襯底上二維布置的存儲器單元的尺寸的方法來增加在特定面積內(nèi)的存儲器件的集成度。然而，在減少存儲器單元的尺寸方面存在物理限制。由此，已經(jīng)提出了在半導體襯底上三維布置存儲器單元。當存儲器單元被三維布置時，可以有效利用半導體襯底的面積，并且與二維布置的存儲器單元相比可以提高集成度。具體來說，如果通過有助于高集成度的三維設置NAND閃存器件的存儲器串來實現(xiàn)三維...
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