技術(shù)編號：8417671
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，并且更加特別地，涉及一種能夠?qū)崿F(xiàn)改進的開關(guān)特性的。背景技術(shù)近年來，碳化硅已經(jīng)作為用于諸如MOSFET(金屬氧化硅半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的半導(dǎo)體器件的材料被越來越多地采用，以便于允許半導(dǎo)體器件的更高的擊穿電壓、更低的損耗和在高溫環(huán)境中的使用等等。碳化硅是具有比已經(jīng)被傳統(tǒng)地和廣泛地用作用于半導(dǎo)體器件的材料的硅的帶隙更寬的帶隙的寬帶隙半導(dǎo)體。因此，通過采用碳化硅作為用于半導(dǎo)體器件的材料，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻等等。當(dāng)在比...
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