技術(shù)編號：8417675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。作為高耐壓、低損失、并且能夠高速開關(guān)的半導體裝置，使用碳化硅半導體裝置。特別是，溝槽柵極型的碳化硅半導體裝置與通常的平面型的碳化硅半導體裝置相比，每單位面積的溝道密度更高，能夠增大電流量，并且能夠期待導通(ON)電阻的降低。在溝槽柵極型的碳化硅半導體裝置中，一般來說，在η型半導體基板上，形成由低缺陷密度的η型半導體構(gòu)成的外延層，進而形成P型半導體層。在表面形成與源極電極連接的η型高濃度層(η+層)、以及與上述P型半導體層連接的P型高濃度層(P +層)，以貫...
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