技術(shù)編號：8421383
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。S12 (二氧化硅)因其具有高絕緣性和成本低的優(yōu)勢常作為微加工襯底材料而被廣泛應(yīng)用在光波導(dǎo)、微機電系統(tǒng)以及3D封裝等領(lǐng)域。在S12干法刻蝕技術(shù)中，通常采用諸如C4F8XF4等的碳氟基氣體作為刻蝕氣體，并且還需要向該刻蝕氣體中加入H2,以提高S12與掩膜的刻蝕選擇比。然而，加入H2的碳氟基氣體在反應(yīng)過程中容易形成大量碳氫類的反應(yīng)副產(chǎn)物，這些反應(yīng)副產(chǎn)物中的一部分會沉積在反應(yīng)腔室的腔室壁上，并且其厚度會隨著工藝時間的延長而逐漸增加，這不僅會在基片刻蝕工藝的過程中...
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