技術(shù)編號：8432067
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種反應(yīng)腔室及等離子體加工設(shè)備。背景技術(shù)等離子體加工設(shè)備主要借助在反應(yīng)腔室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體對被加工工件進行刻蝕、沉積等工藝；具體地，其一般通過下述方式在反應(yīng)腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體向設(shè)于反應(yīng)腔室上的感應(yīng)線圈中加載射頻功率，使其在反應(yīng)腔室內(nèi)產(chǎn)生電磁場，從而將反應(yīng)腔室內(nèi)的工藝氣體耦合為等離子體。圖1為現(xiàn)有的第一種反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖1，反應(yīng)腔室I的頂壁上方設(shè)有感應(yīng)線圈2，感應(yīng)線圈2為在平面內(nèi)按照一定方式纏繞的平面線...
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