技術(shù)編號(hào):8446742
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)與像素電極連接,且其柵電極與液晶顯示面板的柵極線(gate lines)連接以在接收到柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)開啟,其源電極與液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線(gate lines)連接以將接收到的灰階電壓傳遞至像素電極進(jìn)行畫面顯示。當(dāng)前,業(yè)界普遍采用鋁金屬Al和鉬金屬M(fèi)o制造薄膜晶體管,一般為鋁金屬層的上方設(shè)置鉬金屬層,并且為降低薄膜晶體管的電阻,設(shè)計(jì)鋁金屬層的厚度較大,然而由于鋁的熔點(diǎn)較低(660°C ),制程中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。