技術編號：8458341
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。以往以來，NAND閃速存儲器，通過平面結構的微細化而增加集成度、降低位成本(bit cost)，但這已逼近極限。因此，近年來提出將存儲器單元在上下方向上層疊的技術。在這樣的層疊型存儲裝置中，存儲器單元的數(shù)據(jù)保持特性成問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供數(shù)據(jù)保持特性良好的。實施方式涉及的半導體存儲裝置具備基板；在所述基板上設置且在上下方向上延伸的半導體柱；多張第I電極膜，其設置在所述半導體柱的側方且在第I方向上延伸，并沿所述上下方向相互分離地配置；多個第2電極膜，其設置...
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