技術(shù)編號：8460806
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般地涉及閃速EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)類型的非易失性半導(dǎo)體存儲器、它們的形成、結(jié)構(gòu)以及用途，并且具體地涉及當(dāng)存儲器裸芯空閑時、施加偏壓到一個或多個字線、使得數(shù)據(jù)保留(data retent1n)被改善的結(jié)構(gòu)和方法。背景技術(shù)有許多當(dāng)今正使用的商業(yè)上成功的非易失性存儲器產(chǎn)品，特別是以使用閃速EEPROM單元的陣列的小外形的卡的形式。圖1中示出了閃速存儲器系統(tǒng)的示例，其中存儲器單元陣列I連同諸如列控制電路2、行控制電路3、數(shù)據(jù)輸入/輸出電路6...
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