技術(shù)編號:8463190
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。MRAM(Magnetic Random Access Memory ;磁阻式隨機存取存儲器)為具有利用磁阻效應(yīng)(TMRTunneling Magneto Resistive ;隧穿磁阻)的TMR元件的非易失性存儲器,作為具有匹敵DRAM (Dynamic Random Access Memory ;動態(tài)隨機存取存儲器)的集成密度和匹敵SRAM(Static Random Access Memory ;靜態(tài)隨機存取存儲器)的高速性、且可以無限制地重寫數(shù)據(jù)的...
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