技術(shù)編號(hào)：8471704
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明屬于電工電子材料檢測(cè)方法，涉及一種用于ZnO陶瓷點(diǎn)缺陷結(jié)構(gòu) 檢測(cè)的溫差電勢(shì)電流方法。背景技術(shù) 目前流行的各種點(diǎn)缺陷檢測(cè)方法往往需要借助大型的專用設(shè)備才能實(shí)施，如深 能級(jí)瞬態(tài)譜、介電譜、熱刺激電流、霍爾效應(yīng)、光致發(fā)光譜等，由于專用設(shè)備的價(jià)格非常高， 導(dǎo)致其測(cè)試費(fèi)用都很昂貴。 經(jīng)過不斷的探索，研宄者發(fā)現(xiàn)在溫度梯度作用下，半導(dǎo)體陶瓷中會(huì)形成溫差電勢(shì) 電流，通過分析溫差電勢(shì)電流的活化能，就能確定半導(dǎo)體陶瓷的點(diǎn)缺陷結(jié)構(gòu)。該方法屬于無 損檢測(cè)，具有不損壞試樣、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。