技術編號：8488918
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。于覆晶封裝制程中，通過將半導體元件藉由焊錫材料結合并電性連接至一封裝基板(package substrate)上,再將封裝基板連同半導體元件進行封裝。因此，現(xiàn)有半導體元件與封裝基板上均具有接觸墊，以供該封裝基板與半導體元件(晶片)藉由焊錫材料相互對接與電性連接。詳細地，如圖1A所示，于該封裝基板的接觸墊100上形成表面處理層12，并于該半導體晶片的電極墊上形成凸塊底下金屬結構(Under Bump Metallurgy, UBM),且于該凸塊底下金屬結構上...
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